تبادل
لینک هوشمند
| فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا |
 |
| گروه محصول :نرم افزار >> فنی مهندسی |
| فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا به زبان انگلیسی فیلمهای آموزشی دروس دانشگاهی این فیلمها بصورت منوگذاری شده در اختیار شما قرار میگیرد تعداد جلسات و مدت زمان هر جلسه در جلوی آن نوشته شده است فیلم ها به زبان انگلیسی است و با کیفیت خوب در ارائه می شود امید است مورد استفاده شما هموطنان عزیز قرار گیرد 1 - Introduction to Basic concepts [56:46] 2 - Requirements for high speed circuits, devices and materials [57:40] 3 - Classification and properties of semiconductor devices [57:15] 4 - Ternary compound semiconductors and their applications [56:53] 5 - Ternary compound semiconductors and their applications(contd.) [57:25] 6 - Crystal structure in GaAs [57:15] 7 - Dopants and impurities in GaAs and InP [57:31] 8 - Brief Overview of GaAs Technology for High Speed Devices [57:24] 9 - Epitaxial Techniques for GaAs and high speed devices [57:09] 10 - MBE and LPE for GaAs Epitoxy [57:29] 11 - GaAs and InP devices for Microelectronics [57:18] 12 - Metal Semiconductor contacts for MESFET [56:56] 13 - Metal Semiconductor contacts for MESFET(contd) [57:58] 14 - Metal Semiconductor contacts for MESFET(Contd) [57:52] 15 - Ohmic contacts on semiconductors [57:47] 16 - Fermi level pinning, I V characteristics of Schottky Barrier Diodes [57:13] 17 - Schottky Barrier Diodes I V characteristics of Non idealities -1 [57:24] 18 - Schottky Barrier Diodes I V characteristics of Non idealities -1 [55:38] 19 - Causes of Non idealities in the Schottky Barrier Diodes (I V characteristics) [57:17] 20 - MESFET operations and I V characteristics [57:23] 21 - MESFET I V characteristics Shockley`s Model [56:15] 22 - MESFET Shockley`s Model and velocity saturation effect [57:37] 23 - MESFET velocity saturation effect on drain current saturation [57:13] 24 - MESFET : Drain current saturation Ids due to velocity saturation [57:09] 25 - MESFET : Effects of channel length and gate length on Ids and Im [57:27] 26 - MESFET : Effects of velocity saturation and velocity field characteristics [57:36] 27 - MESFET : Effects of velocity field characteristics - Overshoot effects [56:52] 28 - MESFET : Velocity overshoot effect and self aligned MESFET SAINT [57:20] 29 - Self Aligned MESFET SAINT Threshold Voltage and Sub Threshold current [57:04] 30 - Hetero junctions [56:29] 31 - Hetero junctions and high electron Mobility Transistor(HEMT) [55:54] 32 - Hetero junctions and high electron Mobility Transistor(HEMT) (Contd.) [57:25] 33 - High Electron Mobility Transistor [57:25] 34 - HEMT off voltage, I-V characteristics and trans conductance [57:24] 35 - I-V characteristics and trans conductance and optimization [57:24] 36 - Indium phosphide based HEMT [57:24] 37 - Pseudomorphic HEMT and Hetrojunction Bipolar Transistors [55:01] 38 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT) [54:55] 39 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT) (Contd.) [56:40] 40 - Hetrojunction Bipolar Transistors (HBT) (Contd.) [56:40] 41 - Hetrojunction Bipolar Transistors(HBT)-4(Contd) [56:08] 1 -- مقدمه ای بر مفاهیم پایه [56:46] 2 -- مورد نیاز برای IC های سرعت بالا ، دستگاه ها و مواد [57:40] 3 -- طبقه بندی و خواص از دستگاه های نیمه هادی [57:15] 4 -- ترکیب سه تایی نیمه هادی ها و برنامه های کاربردی خود را [56:53] 5 -- ترکیب سه تایی نیمه هادی ها و برنامه های کاربردی خود را (contd.) [57:25] 6 -- ساختار کریستالی در GaAs [57:15] 7 -- Dopants و ناخالصیهای موجود در GAAS و InP [57:31] 8 -- بررسی اجمالی مختصری از فناوری GAAS برای دستگاه های با سرعت بالا [57:24] 9 -- Epitaxial تکنیک برای GAAS و دستگاه های سرعت بالا [57:09] 10 -- MBE و LPE برای GAAS Epitoxy [57:29] 11 -- GAAS و دستگاه های InP برای ریز الکترونیک [57:18] 12 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET [56:56] 13 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET (contd) [57:58] 14 -- فلز تماس نیمه هادی برای MESFET (Contd) [57:52] 15 -- تماس اهمی بر روی نیمه هادی [57:47] 16 -- فرمی در سطح دباره سنجاقکردن ، ویژگی IV دیود های شاتکی موانع [57:13] 17 -- شاتکی دیودهای سد خصوصیات IV idealities غیر -1 [57:24] 18 -- شاتکی دیودهای سد خصوصیات IV idealities غیر -1 [55:38] 19 -- علل غیر idealities در دیودها سد شاتکی (خصوصیات IV) [57:17] 20 -- عملیات MESFET و خصوصیات IV [57:23] 21 -- خصوصیات IV MESFET مدل شاکلی [56:15] 22 -- مدل MESFET شاکلی و سرعت اثر اشباع [57:37] 23 -- سرعت MESFET اثر اشباع اشباع تخلیه در حال حاضر [57:13] 24 -- MESFET : اشباع تخلیه جریان شناسه به دلیل اشباع سرعت [57:09] 25 -- MESFET : اثر طول کانال و طول دروازه بر IDS و IM [57:27] 26 -- MESFET : اثر اشباع سرعت و سرعت ویژگی های زمینه [57:36] 27 -- MESFET : اثرات ناشی از ویژگی های زمینه سرعت -- اثرات حد خارج شدن [56:52] 28 -- MESFET : سرعت اثر اضافه جهش و خود تراز وسط قرار دارد MESFET SAINT [57:20] 29 -- خود تعهد MESFET SAINT ولتاژ آستانه و زیر آستانه جاری [57:04] 30 -- گوناگون اتصالات [56:29] 31 -- اتصالات گوناگون و تحرک الکترون بالا ترانزیستور (HEMT) [55:54] 32 -- اتصالات گوناگون و تحرک الکترون بالا ترانزیستور (HEMT) (Contd.) [57:25] 33 -- ترانزیستور تحرک الکترونی بالا [57:25] 34 -- HEMT کردن ولتاژ ، ویژگی های IV و رسانایی ترانس [57:24] 35 -- خصوصیات IV و رسانایی ترانس و بهینه سازی [57:24] 36 -- بر اساس فسفید ایندیم HEMT [57:24] 37 -- Pseudomorphic HEMT و ترانزیستورهای دوقطبی Hetrojunction [55:01] 38 -- ترانزیستورهای دوقطبی Hetrojunction (HBT) [54:55] 39 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) (Contd.) [56:40] 40 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) (Contd.) [56:40] 41 -- Hetrojunction ترانزیستورهای دوقطبی (HBT) -4 (Contd) [56:08] فروشنده: محصولات آموزشی دقيق |
| قیمت:12,000 تومان |
خرید اینترنتی:برای خرید فیلمهای آموزشی مدارات و وسیله های سرعت بالا ، پس از کلیک روی دکمه زیر و تکمیل فرم سفارش، ابتدا محصول یا محصولات مورد نظرتان را درب منزل یا محل کار تحویل بگیرید، سپس وجه کالا و هزینه ارسال را به مامور پست بپردازید. جهت مشاهده فرم خرید، روی دکمه زیر کلیک کنید. |
نظرات شما عزیزان:
ارسال توسط فروشگاه اینترنتی
آخرین مطالب
